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IPD65R225C7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD65R225C7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 9698 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.546

$2.546
10

$2.2838

$22.838
100

$1.8714

$187.14
500

$1.59309

$796.545
1000

$1.34356

$1343.56

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 240µA
Base Product Number	IPD65R225
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	996 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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