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IPD65R1K4C6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD65R1K4C6ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 2444 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.121

$1.121
10

$1.0013

$10.013
100

$0.78052

$78.052
500

$0.64482

$322.41
1000

$0.50906

$509.06

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C6
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Base Product Number	IPD65R1
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max)	28W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	225 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Tc)

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