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IPD65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD65R190C7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 1236 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.0305

$3.0305
10

$2.7208

$27.208
100

$2.22898

$222.898
500

$1.89747

$948.735
1000

$1.60027

$1600.27

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 290µA
Base Product Number	IPD65R
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	72W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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