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IPD60R800CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD60R800CEATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3

Menge:

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Base Product Number	IPD60R
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max)	48W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	373 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.6A (Tc)

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