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IPD60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD60R600P6ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 15 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.52

$1.52
10

$1.3566

$13.566
100

$1.05773

$105.773
500

$0.87379

$436.895
1000

$0.68983

$689.83

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ P6
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Base Product Number	IPD60R
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	557 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)

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