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IPD60N10S4L12ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD60N10S4L12ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-313

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 72366 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.71

$1.71
10

$1.5352

$15.352
100

$1.23376

$123.376
500

$1.01368

$506.84
1000

$0.83991

$839.91

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Base Product Number	IPD60N10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-313
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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