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IPD50R800CE

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD50R800CE

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-344

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CE
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Base Product Number	IPD50
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-344
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)

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