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IPD50P03P4L11ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD50P03P4L11ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 19977 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.52

$1.52
10

$1.2445

$12.445
100

$0.96814

$96.814
500

$0.82064

$410.32
1000

$0.6685

$668.5

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+5V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Base Product Number	IPD50
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	58W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3770 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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