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IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD50N06S4L12ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 12515 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.0355

$1.0355
10

$0.92815

$9.2815
100

$0.7238

$72.38
500

$0.59796

$298.98
1000

$0.47207

$472.07

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 20µA
Base Product Number	IPD50
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2890 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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