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IPD50N03S4L06ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD50N03S4L06ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 5000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

2500

$0.52153

$1303.825
5000

$0.49669

$2483.45
12500

$0.47377

$5922.125

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 20µA
Base Product Number	IPD50
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	56W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2330 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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