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IPD35N12S3L24ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD35N12S3L24ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 7449 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.349

$1.349
10

$1.10675

$11.0675
100

$0.86079

$86.079
500

$0.72961

$364.805
1000

$0.59434

$594.34

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Base Product Number	IPD35N12
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	71W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)

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