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IPD30N12S3L31ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD30N12S3L31ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CHANNEL_100+

Menge:

Auf Lager : 1077 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.0735

$1.0735
10

$0.87685

$8.7685
100

$0.68229

$68.229
500

$0.5783

$289.15
1000

$0.47108

$471.08

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-T
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 29µA
Base Product Number	IPD30N12
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	57W
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1970 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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