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IPD30N06S2L23ATMA3

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD30N06S2L23ATMA3

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 24338 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.292

$1.292
10

$1.15615

$11.5615
100

$0.90145

$90.145
500

$0.74472

$372.36
1000

$0.58793

$587.93

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 50µA
Base Product Number	IPD30N06
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1091 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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