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IPD30N06S223ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD30N06S223ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

Menge:

Auf Lager : 2375 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.273

$1.273
10

$1.1419

$11.419
100

$0.89005

$89.005
500

$0.73524

$367.62
1000

$0.58045

$580.45

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 50µA
Base Product Number	IPD30N06
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	901 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)

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