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IPD25CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD25CN10NGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 5078 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.349

$1.349
10

$1.2027

$12.027
100

$0.93793

$93.793
500

$0.7748

$387.4
1000

$0.61168

$611.68

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 39µA
Base Product Number	IPD25CN10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)	71W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)

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