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IPD200N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD200N15N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 56677 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.8025

$2.8025
10

$2.51465

$25.1465
100

$2.02122

$202.122
500

$1.66065

$830.325
1000

$1.37597

$1375.97

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Base Product Number	IPD200
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1820 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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