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IPD11DP10NMATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD11DP10NMATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

TRENCH >=100V PG-TO252-3

Menge:

Auf Lager : 136 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.6055

$1.6055
10

$1.33665

$13.3665
100

$1.06428

$106.428
500

$0.9005

$450.25
1000

$0.76406

$764.06

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.7mA
Base Product Number	IPD11D
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.4A (Ta), 22A (Tc)

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