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IPD110N12N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD110N12N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 9224 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.28

$2.28
10

$2.0501

$20.501
100

$1.64749

$164.749
500

$1.35354

$676.77
1000

$1.1215

$1121.5

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 83µA (Typ)
Base Product Number	IPD110
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4310 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)

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