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IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD090N03LGATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-11

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 96752 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.722

$0.722
10

$0.63935

$6.3935
100

$0.4901

$49.01
500

$0.38744

$193.72
1000

$0.30995

$309.95

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	IPD090
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)

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