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IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD079N06L3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3-311

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 1999 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.007

$1.007
10

$0.82175

$8.2175
100

$0.63935

$63.935
500

$0.54191

$270.955
1000

$0.44145

$441.45

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 34µA
Base Product Number	IPD079N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	79W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3-311
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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