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IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPD053N08N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO252-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Menge:

Auf Lager : 15571 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.451

$2.451
10

$2.19735

$21.9735
100

$1.76643

$176.643
500

$1.45127

$725.635
1000

$1.20248

$1202.48

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Base Product Number	IPD053
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4750 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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