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IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPC50N04S55R8ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-33

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Menge:

Auf Lager : 9995 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.912

$0.912
10

$0.74575

$7.4575
100

$0.58026

$58.026
500

$0.49187

$245.935
1000

$0.40069

$400.69
2000

$0.37719

$754.38

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 13µA
Base Product Number	IPC50N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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