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IPBE65R230CFD7AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7-3-10

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 2451 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.9115

$4.9115
10

$4.123

$41.23
100

$3.33535

$333.535
500

$2.96477

$1482.385

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 260µA
Base Product Number	IPBE65
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7-3-10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1044 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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