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IPB90N06S4L04ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB90N06S4L04ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 1428 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6505

$2.6505
10

$2.1983

$21.983
100

$1.74961

$174.961
500

$1.48042

$740.21

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 90µA
Base Product Number	IPB90N06
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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