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IPB80N06S209ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB80N06S209ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 169 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.622

$2.622
10

$2.356

$23.56
100

$1.89335

$189.335
500

$1.55554

$777.77

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 125µA
Base Product Number	IPB80N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2360 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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