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IPB70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB70N10S3L12ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 19900 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.7075

$2.7075
10

$2.43675

$24.3675
100

$1.95833

$195.833
500

$1.60893

$804.465

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Base Product Number	IPB70N10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5550 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)

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