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IPB65R660CFDAATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB65R660CFDAATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 2000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.508

$2.508
10

$2.25435

$22.5435
100

$1.81222

$181.222
500

$1.48887

$744.435

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Base Product Number	IPB65R660
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	62.5W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	543 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)

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