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IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB65R190C7ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 940 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.1825

$3.1825
10

$2.6752

$26.752
100

$2.1641

$216.41
500

$1.92359

$961.795

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 290µA
Base Product Number	IPB65R190
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	72W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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