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IPB65R110CFD7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB65R110CFD7ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

HIGH POWER_NEW

Menge:

Auf Lager : 927 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.2725

$5.2725
10

$4.42795

$44.2795
100

$3.58197

$358.197
500

$3.184

$1592

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ CFD7
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 480µA
Base Product Number	IPB65R
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1942 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)

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