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IPB60R299CPAATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB60R299CPAATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 2 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.1825

$3.1825
10

$2.67615

$26.7615
100

$2.16495

$216.495
500

$1.92437

$962.185

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Base Product Number	IPB60R299
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max)	96W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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