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IPB60R099C6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB60R099C6ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 1735 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.5075

$6.5075
10

$5.8805

$58.805
100

$4.86856

$486.856
500

$4.23948

$2119.74

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™ C6
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.21mA
Base Product Number	IPB60R099
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	278W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2660 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37.9A (Tc)

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