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IPB200N25N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB200N25N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 4750 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$7.4955

$7.4955
10

$6.7716

$67.716
100

$5.60604

$560.604
500

$4.88167

$2440.835

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Base Product Number	IPB200
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7100 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	64A (Tc)

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