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IPB180N08S402ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB180N08S402ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 6820 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.4815

$5.4815
10

$4.5999

$45.999
100

$3.72105

$372.105
500

$3.30759

$1653.795

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Product Status	Last Time Buy
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 220µA
Base Product Number	IPB180
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	277W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11550 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)

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