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IPB180N06S4H1ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB180N06S4H1ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 6722 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.9805

$3.9805
10

$3.57675

$35.7675
100

$2.93056

$293.056
500

$2.49475

$1247.375

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Base Product Number	IPB180
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21900 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)

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