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IPB123N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB123N10N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 8715 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.9285

$1.9285
10

$1.7328

$17.328
100

$1.39298

$139.298
500

$1.14448

$572.24

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Base Product Number	IPB123
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)

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