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IPB100P03P3L-04

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB100P03P3L-04

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL POWER MOSFET

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™-P
Package	Bulk
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+5V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 475µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9300 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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