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IPB100N12S305ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB100N12S305ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 3860 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.351

$4.351
10

$3.6556

$36.556
100

$2.95744

$295.744
500

$2.62887

$1314.435

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 240µA
Base Product Number	IPB100
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11570 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)

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