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IPB049NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB049NE7N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 1900 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6885

$2.6885
10

$2.2306

$22.306
100

$1.77526

$177.526
500

$1.50212

$751.06

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Base Product Number	IPB049
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4750 pF @ 37.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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