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IPB036N12N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB036N12N3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 1120 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.852

$5.852
10

$5.2839

$52.839
100

$4.37446

$437.446
500

$3.80923

$1904.615

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Base Product Number	IPB036
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	211 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13800 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)

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