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IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB026N06NATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 2978 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.2515

$2.2515
10

$2.02635

$20.2635
100

$1.62868

$162.868
500

$1.33809

$669.045

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 75µA
Base Product Number	IPB026
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)

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