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IPB020N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB020N10N5LFATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Menge:

Auf Lager : 900 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$7.7045

$7.7045
10

$6.6006

$66.006
100

$5.5004

$550.04
500

$4.8533

$2426.65

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™-5
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.1V @ 270µA
Base Product Number	IPB020
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	313W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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