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IPB019N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB019N08N5ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 958 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$6.156

$6.156
10

$5.1699

$51.699
100

$4.18237

$418.237
500

$3.71763

$1858.815

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™ 5
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 154µA
Base Product Number	IPB019
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	224W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8970 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)

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