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IPB019N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPB019N06L3GATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO263-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Menge:

Auf Lager : 7756 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.1255

$3.1255
10

$2.8082

$28.082
100

$2.30061

$230.061
500

$1.95846

$979.23

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 196µA
Base Product Number	IPB019
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	166 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	28000 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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