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IPAN65R650CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPAN65R650CEXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-FP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220

Menge:

Auf Lager : 497 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.3015

$1.3015
10

$1.1628

$11.628
100

$0.90677

$90.677
500

$0.74909

$374.545
1000

$0.59138

$591.38
2000

$0.55196

$1103.92
5000

$0.52436

$2621.8
10000

$0.50465

$5046.5

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
Base Product Number	IPAN65
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	28W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.1A (Tc)

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