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IPAN60R650CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPAN60R650CEXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-FP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220

Menge:

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Firmenname

Land

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Base Product Number	IPAN60
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max)	28W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.9A (Tc)

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