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IMZA65R083M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMZA65R083M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-4-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Menge:

Auf Lager : 44 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$10.8775

$10.8775
10

$9.58265

$95.8265
100

$8.28751

$828.751
500

$7.51052

$3755.26
1000

$6.88896

$6888.96

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -2V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 3.3mA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max)	104W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-4-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	624 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)

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