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IMZA65R057M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMZA65R057M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-4-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Menge:

Auf Lager : 240 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$13.2905

$13.2905
10

$11.7078

$117.078
100

$10.12538

$1012.538
500

$9.17614

$4588.07
1000

$8.41675

$8416.75

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -2V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 5mA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max)	133W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-4-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)

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