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IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMZA65R048M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-4-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Menge:

Auf Lager : 610 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$15.352

$15.352
10

$13.5261

$135.261
100

$11.69849

$1169.849
500

$10.60179

$5300.895

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+23V, -5V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 6mA
Base Product Number	IMZA65
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-4-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1118 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	39A (Tc)

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