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IMZ120R220M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMZ120R220M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-4-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Menge:

Auf Lager : 409 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$10.0795

$10.0795
10

$8.6431

$86.431
100

$7.20271

$720.271
500

$6.35529

$3177.645
1000

$5.71977

$5719.77

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSiC™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+23V, -7V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-4
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Base Product Number	IMZ120
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-4-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	289 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)

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