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IMW65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IMW65R048M1HXKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO247-3-41

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Menge:

Auf Lager : 1495 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$14.7535

$14.7535
10

$12.99315

$129.9315
100

$11.23717

$1123.717
500

$10.18371

$5091.855
1000

$9.34092

$9340.92

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	CoolSIC™ M1
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+23V, -5V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 6mA
Base Product Number	IMW65R048
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1118 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	39A (Tc)

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